2024年の電子展の聴衆のための指示

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211571STGD6NC60H-1絵STMicroelectronics

STGD6NC60H-1

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規格
  • 部品型番
    STGD6NC60H-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT N-CH 600V 7A IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGD6NC60H-1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.5V @ 15V, 3A
  • 試験条件
    390V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    12ns/76ns
  • エネルギーの切り替え
    20µJ (on), 68µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    IPAK (TO-251)
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 電力 - 最大
    62.5W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    497-15023-5
    STGD6NC60H-1-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    13.6nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 15A 62.5W Through Hole IPAK (TO-251)
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    21A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    15A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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