2024年の電子展の聴衆のための指示

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STGD3NC120H-1

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規格
  • 部品型番
    STGD3NC120H-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 16A IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGD3NC120H-1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.8V @ 15V, 3A
  • 試験条件
    800V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    15ns/118ns
  • エネルギーの切り替え
    236µJ (on), 290µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    IPAK (TO-251)
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    105W
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    24nC
  • 詳細な説明
    IGBT 1200V 16A 105W Through Hole IPAK (TO-251)
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    20A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    16A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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