2024年の電子展の聴衆のための指示

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3577098STGD3NB60HDT4絵STMicroelectronics

STGD3NB60HDT4

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規格
  • 部品型番
    STGD3NB60HDT4
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 10A 50W DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGD3NB60HDT4.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.8V @ 15V, 3A
  • 試験条件
    480V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    5ns/53ns
  • エネルギーの切り替え
    33µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DPAK
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 逆回復時間（trrの）
    95ns
  • 電力 - 最大
    50W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    21nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 10A 50W Surface Mount DPAK
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    24A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    10A
  • ベース部品番号
    STG*3NB

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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