2024年の電子展の聴衆のための指示

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4130648STGD7NB120S-1絵STMicroelectronics

STGD7NB120S-1

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規格
  • 部品型番
    STGD7NB120S-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 10A 55W IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGD7NB120S-1.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 7A
  • 試験条件
    960V, 7A, 1 kOhm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    570ns/-
  • エネルギーの切り替え
    15mJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I-PAK
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 電力 - 最大
    55W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    29nC
  • 詳細な説明
    IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-PAK
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    20A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    10A
  • ベース部品番号
    STG*7NB

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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