2024年の電子展の聴衆のための指示

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6667210APT102GA60B2絵Microsemi

APT102GA60B2

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規格
  • 部品型番
    APT102GA60B2
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 183A 780W TO247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT102GA60B2.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.5V @ 15V, 62A
  • 試験条件
    400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    28ns/212ns
  • エネルギーの切り替え
    1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • シリーズ
    POWER MOS 8™
  • 電力 - 最大
    780W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Variant
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    PT
  • ゲートチャージ
    294nC
  • 詳細な説明
    IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    307A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    183A

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