2024年の電子展の聴衆のための指示

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APT100GT120JRDQ4

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規格
  • 部品型番
    APT100GT120JRDQ4
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.APT100GT120JRDQ4.pdf
    2.APT100GT120JRDQ4.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    3.7V @ 15V, 100A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ISOTOP®
  • シリーズ
    Thunderbolt IGBT®
  • 電力 - 最大
    570W
  • パッケージ/ケース
    ISOTOP
  • 他の名前
    APT100GT120JRDQ4MI
    APT100GT120JRDQ4MI-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTCサーミスタ
    No
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    7.85nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • 詳細な説明
    IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    200µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    123A
  • コンフィギュレーション
    Single

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説明: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

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APT100S20BG

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メーカー: Microsemi
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RFQ
APT100GT60JRDQ4

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メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT100M50J

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メーカー: Microsemi
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APT100MC120JCU2

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説明: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

メーカー: Microsemi
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APT100GN120B2G

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説明: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT102GA60B2

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説明: IGBT 600V 183A 780W TO247

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT100F50J

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説明: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

メーカー: Microsemi
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APT100GN60B2G

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説明: IGBT 600V 229A 625W TMAX

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APT100S20LCTG

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説明: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT100GN60LDQ4G

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APT100GT120JU3

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説明: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

メーカー: Microsemi
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APT100GLQ65JU2

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説明: POWER MODULE - IGBT

メーカー: Microsemi
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APT100GT60B2RG

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説明: IGBT 600V 148A 500W SOT247

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APT100GT120JU2

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説明: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

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APT100GT60JR

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APT100GF60JU2

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説明: IGBT 600V 120A 416W SOT227

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APT100GF60JU3

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APT100GT120JR

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説明: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

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APT100GN120JDQ4

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