2024年の電子展の聴衆のための指示

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APT106N60B2C6

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規格
  • 部品型番
    APT106N60B2C6
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT106N60B2C6.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.5V @ 3.4mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    T-MAX™ [B2]
  • シリーズ
    CoolMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    35 mOhm @ 53A, 10V
  • 電力消費（最大）
    833W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Variant
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    8390pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    308nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    106A (Tc)

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メーカー: Microsemi
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APT100GT60JR

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メーカー: Microsemi
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メーカー: Microsemi
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APT10M11JVRU3

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メーカー: Microsemi
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RFQ
APT100GT60JRDQ4

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RFQ
APT102GA60L

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説明: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

メーカー: Microsemi
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APT100M50J

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説明: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

メーカー: Microsemi
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APT10M11JVRU2

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説明: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

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APT102GA60B2

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説明: IGBT 600V 183A 780W TO247

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT10DC120HJ

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説明: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

メーカー: Microsemi
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APT100GT120JU3

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説明: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

メーカー: Microsemi
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説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

メーカー: Microsemi
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APT10SCD120BCT

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メーカー: Microsemi
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APT10M11B2VFRG

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説明: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
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