2024年の電子展の聴衆のための指示

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2270412RQ1E100XNTR絵LAPIS Semiconductor

RQ1E100XNTR

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規格
  • 部品型番
    RQ1E100XNTR
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RQ1E100XNTR.pdf
    2.RQ1E100XNTR.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSMT8
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    10.5 mOhm @ 10A, 10V
  • 電力消費（最大）
    550mW (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1000pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    12.7nC @ 5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 10A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    10A (Ta)

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