2024年の電子展の聴衆のための指示

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5661561RQ1C075UNTR絵LAPIS Semiconductor

RQ1C075UNTR

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規格
  • 部品型番
    RQ1C075UNTR
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RQ1C075UNTR.pdf
    2.RQ1C075UNTR.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSMT8
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    16 mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    700mW (Ta)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • 他の名前
    RQ1C075UNCT
    RQ1C075UNTRCT
    RQ1C075UNTRCT-ND
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1400pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    7.5A (Ta)

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