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1008612NTD18N06-001絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD18N06-001

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規格
  • 部品型番
    NTD18N06-001
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    NTD18N06-001.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I-PAK
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    60 mOhm @ 9A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.1W (Ta), 55W (Tj)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    NTD18N06-001OS
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    710pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    30nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-PAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    18A (Ta)

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