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6240312SI3529DV-T1-E3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3529DV-T1-E3

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規格
  • 部品型番
    SI3529DV-T1-E3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI3529DV-T1-E3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-TSOP
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    125 mOhm @ 2.2A, 10V
  • 電力 - 最大
    1.4W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    205pF @ 20V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7nC @ 10V
  • FETタイプ
    N and P-Channel
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    40V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    2.5A, 1.95A

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