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3212141SI3493DV-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3493DV-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI3493DV-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI3493DV-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±8V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-TSOP
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    27 mOhm @ 7A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    1.1W (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    32nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.8V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    5.3A (Ta)

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メーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay
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説明: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP

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説明: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

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