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3407635SI3588DV-T1-GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3588DV-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI3588DV-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI3588DV-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    450mV @ 250µA (Min)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-TSOP
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    80 mOhm @ 3A, 4.5V
  • 電力 - 最大
    830mW, 83mW
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 他の名前
    SI3588DV-T1-GE3DKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    -
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N and P-Channel
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    2.5A, 570mA
  • ベース部品番号
    SI3588

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説明: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

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説明: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

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説明: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

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