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HGTP7N60A4-F102

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規格
  • 部品型番
    HGTP7N60A4-F102
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    HGTP7N60A4-F102.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.7V @ 15V, 7A
  • 試験条件
    390V, 7A, 25 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    11ns/100ns
  • エネルギーの切り替え
    55µJ (on), 150µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    125W
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 他の名前
    HGTP7N60A4_F102
    HGTP7N60A4_F102-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    60nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220-3
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    56A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    34A

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