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HGTP5N120BND

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規格
  • 部品型番
    HGTP5N120BND
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.HGTP5N120BND.pdf
    2.HGTP5N120BND.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.7V @ 15V, 5A
  • 試験条件
    960V, 5A, 25 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    22ns/160ns
  • エネルギーの切り替え
    450µJ (on), 390µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    65ns
  • 電力 - 最大
    167W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • ゲートチャージ
    53nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    40A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    21A

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