2024年の電子展の聴衆のための指示

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HGTP12N60C3D

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規格
  • 部品型番
    HGTP12N60C3D
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 24A 104W TO220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.HGTP12N60C3D.pdf
    2.HGTP12N60C3D.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.2V @ 15V, 15A
  • 試験条件
    -
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    -
  • エネルギーの切り替え
    380µJ (on), 900µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    40ns
  • 電力 - 最大
    104W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    48nC
  • 詳細な説明
    IGBT 600V 24A 104W Through Hole TO-220AB
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    96A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    24A
  • ベース部品番号
    HGTP12N60

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