2024年の電子展の聴衆のための指示

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5832528W987D6HBGX7E絵Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX7E

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規格
  • 部品型番
    W987D6HBGX7E
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • サプライヤデバイスパッケージ
    54-VFBGA (8x9)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    54-TFBGA
  • 運転温度
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    128Mb (8M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • クロック周波数
    133MHz
  • アクセス時間
    5.4ns
W987D6HBGX6E TR

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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W988D6FBGX6I

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

メーカー: Winbond Electronics Corporation
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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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W987D2HBJX7E

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メーカー: Winbond Electronics Corporation
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