2024年の電子展の聴衆のための指示

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1415573W987D2HBJX6E TR絵Winbond Electronics Corporation

W987D2HBJX6E TR

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規格
  • 部品型番
    W987D2HBJX6E TR
  • メーカー/ブランド
    Winbond Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    W987D2HBJX6E TR.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • サプライヤデバイスパッケージ
    90-VFBGA (8x13)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    90-TFBGA
  • 他の名前
    W987D2HBJX6E TR-ND
    W987D2HBJX6ETR
  • 運転温度
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    128Mb (4M x 32)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • クロック周波数
    166MHz
  • アクセス時間
    5.4ns

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