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RN1114MFV,L3F

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規格
  • 部品型番
    RN1114MFV,L3F
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RN1114MFV,L3F.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    VESM
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    1 kOhms
  • 電力 - 最大
    150mW
  • パッケージ/ケース
    SOT-723
  • 他の名前
    RN1114MFVL3F
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    50 @ 10mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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