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6072543RN1112ACT(TPL3)絵Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

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規格
  • 部品型番
    RN1112ACT(TPL3)
  • メーカー/ブランド
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RN1112ACT(TPL3).pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    150mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    CST3
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    22 kOhms
  • 電力 - 最大
    100mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-101, SOT-883
  • 他の名前
    RN1112ACT(TPL3)TR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    120 @ 1mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    80mA

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