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2SK3566(STA4,Q,M)絵

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3566(STA4,Q,M)

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規格

部品型番

2SK3566(STA4,Q,M)
メーカー/ブランド

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

1.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
2.2SK3566(STA4,Q,M).pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

4V @ 1mA
Vgs（最大）

±30V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

TO-220SIS
シリーズ

π-MOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

6.4 Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大）

40W (Tc)
パッケージング

Tube
パッケージ/ケース

TO-220-3 Full Pack
他の名前

2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
運転温度

150°C (TJ)
装着タイプ

Through Hole
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

470pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

12nC @ 10V
FETタイプ

N-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

900V
詳細な説明

N-Channel 900V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

2.5A (Ta)

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