2024年の電子展の聴衆のための指示

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70022782SK3666-3-TB-E絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK3666-3-TB-E

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規格
  • 部品型番
    2SK3666-3-TB-E
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SK3666-3-TB-E.pdf
  • 電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）
    180mV @ 1µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    3-CP
  • シリーズ
    -
  • 抵抗 - RDS（ON）
    200 Ohms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    869-1107-1
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    4 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    4pF @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
  • ドレイン電流（Id）の - マックス
    10mA
  • 電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（​​IDSS）
    1.2mA @ 10V
  • ベース部品番号
    2SK3666

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