2024年の電子展の聴衆のための指示

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QJD1210010

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規格
  • 部品型番
    QJD1210010
  • メーカー/ブランド
    Powerex, Inc.
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.QJD1210010.pdf
    2.QJD1210010.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 10mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Module
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    25 mOhm @ 100A, 20V
  • 電力 - 最大
    1080W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    Module
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    10200pF @ 800V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    500nC @ 20V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Silicon Carbide (SiC)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V (1.2kV)
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100A (Tc)

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