2024年の電子展の聴衆のための指示

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2844776DMG6602SVT-7絵Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

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規格
  • 部品型番
    DMG6602SVT-7
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMG6602SVT-7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.3V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSOT-23-6
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    60 mOhm @ 3.1A, 10V
  • 電力 - 最大
    840mW
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 他の名前
    DMG6602SVT-7DIDKR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    400pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    13nC @ 10V
  • FETタイプ
    N and P-Channel
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3.4A, 2.8A
  • ベース部品番号
    DMG6602

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