2024年の電子展の聴衆のための指示

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JAN1N5809US

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規格
  • 部品型番
    JAN1N5809US
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN1N5809US.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    875mV @ 4A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    100V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    B, SQ-MELF
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • 逆回復時間（trrの）
    30ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    SQ-MELF, B
  • 他の名前
    1086-2125
    1086-2125-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    5µA @ 100V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    6A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    60pF @ 10V, 1MHz

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メーカー: Microsemi
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説明: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

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説明: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

メーカー: Microsemi
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JAN1N5819-1

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説明: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

メーカー: Microsemi
在庫あり
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