2024年の電子展の聴衆のための指示

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4979930JAN1N5806絵Microsemi

JAN1N5806

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規格
  • 部品型番
    JAN1N5806
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    975mV @ 2.5A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    150V
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • 逆回復時間（trrの）
    25ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    A, Axial
  • 他の名前
    1086-2121
    1086-2121-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 150V 2.5A Through Hole
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1µA @ 150V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    2.5A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    25pF @ 10V, 1MHz

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説明: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

メーカー: Microsemi
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JAN1N5807US

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説明: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

メーカー: Microsemi
在庫あり
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JAN1N5802US

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説明: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

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説明: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

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説明: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

メーカー: Microsemi
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JAN1N5660A

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説明: TVS DIODE 111V 179V DO13

メーカー: Microsemi
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JAN1N5804

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説明: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

メーカー: Microsemi
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説明: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

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JAN1N5711UR-1

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説明: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

メーカー: Microsemi
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JAN1N5802

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説明: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

メーカー: Microsemi
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説明: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

メーカー: Microsemi
在庫あり
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JAN1N5804URS

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説明: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

メーカー: Microsemi
在庫あり
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説明: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
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JAN1N5811

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説明: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5711-1

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説明: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5811URS

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説明: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5809URS

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説明: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5772

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説明: TVS DIODE 10CFLATPACK

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5809US

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説明: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
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