2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > JAN1N5622
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
2247994JAN1N5622絵Microsemi

JAN1N5622

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com

参考価格（USD）

在庫あり
1+
$12.35
10+
$11.113
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    JAN1N5622
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN1N5622.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1000V
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • 逆回復時間（trrの）
    2µs
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    A, Axial
  • 他の名前
    1086-2114
    1086-2114-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 200°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    8 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    500nA @ 1000V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

11/13/2024

韓国はトランプの脅威に対抗するためにチップ法を制定する予定です

11/13/2024
配送
支払い
「JAN1N5622」関連製品は次のとおりです。
JAN1N5620US

JAN1N5620US

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

説明: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

説明: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

説明: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

説明: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

説明: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

説明: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

説明: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します