2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > JAN1N5618US
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
4795406

JAN1N5618US

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    JAN1N5618US
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    JAN1N5618US.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.3V @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D-5A
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • 逆回復時間（trrの）
    2µs
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    SQ-MELF, A
  • 他の名前
    1086-2109
    1086-2109-MIL
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 200°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    500nA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

AnthropicはAmazonからさらに40億ドルの投資を受けており、2つ...

11/23/2024

準決勝：第3四半期にICの売上高が12％増加し、成長が第4四半期...

11/22/2024

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024
配送
支払い
「JAN1N5618US」関連製品は次のとおりです。
JAN1N5623US

JAN1N5623US

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

説明: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

説明: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

説明: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

説明: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

説明: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

説明: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

説明: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

説明: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

説明: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します