2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTGT35A120D1G

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規格
  • 部品型番
    APTGT35A120D1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 35A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D1
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    205W
  • パッケージ/ケース
    D1
  • 運転温度
    -
  • NTCサーミスタ
    No
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    2.5nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 詳細な説明
    IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    5mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    55A
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge

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RFQ
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メーカー: Microsemi
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RFQ
APTGT35A120T1G

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メーカー: Microsemi
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RFQ
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メーカー: Microsemi
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APTGT35SK120D1G

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説明: IGBT 1200V 55A 205W D1

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RFQ
APTGT400A60D3G

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説明: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

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APTGT30TL60T3G

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APTGT400A120D3G

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説明: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

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APTGT35H120T3G

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説明: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

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