2024年の電子展の聴衆のための指示

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APTGT30H170T3G

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規格
  • 部品型番
    APTGT30H170T3G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.APTGT30H170T3G.pdf
    2.APTGT30H170T3G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1700V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.4V @ 15V, 30A
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SP3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    210W
  • パッケージ/ケース
    SP3
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（量Cies）@ Vceは
    2.5nF @ 25V
  • 入力
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 詳細な説明
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 45A 210W Chassis Mount SP3
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    250µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    45A
  • コンフィギュレーション
    Full Bridge Inverter

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説明: IGBT 1700V 45A 210W D1

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