2024年の電子展の聴衆のための指示

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5664561RGW00TS65GC11絵LAPIS Semiconductor

RGW00TS65GC11

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規格
  • 部品型番
    RGW00TS65GC11
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RGW00TS65GC11.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.9V @ 15V, 50A
  • 試験条件
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    52ns/180ns
  • エネルギーの切り替え
    1.18mJ (on), 960µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247N
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    254W
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    141nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 96A 254W Through Hole TO-247N
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    200A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    96A

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RGPR20NS43HRTL

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RGW00TK65DGVC11

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RGW80TS65GC11

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RGW60TS65GC11

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RGW60TS65DGC11

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IXGT72N60B3

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RGW00TS65DGC11

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説明: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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FGH40T65SQD-F155

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RFQ
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