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3820421RGW60TS65GC11絵LAPIS Semiconductor

RGW60TS65GC11

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規格
  • 部品型番
    RGW60TS65GC11
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RGW60TS65GC11.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.9V @ 15V, 30A
  • 試験条件
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    37ns/114ns
  • エネルギーの切り替え
    480µJ (on), 490µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247N
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    178W
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    84nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    120A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    60A

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