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2632488DTD114ESTP絵LAPIS Semiconductor

DTD114ESTP

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規格
  • 部品型番
    DTD114ESTP
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DTD114ESTP.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SPT
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    10 kOhms
  • 電力 - 最大
    300mW
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    SC-72 Formed Leads
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    56 @ 50mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    500mA
  • ベース部品番号
    DTD114

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DTD123TSTP

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説明: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

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