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5998223DTD113ECHZGT116絵LAPIS Semiconductor

DTD113ECHZGT116

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規格
  • 部品型番
    DTD113ECHZGT116
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.DTD113ECHZGT116.pdf
    2.DTD113ECHZGT116.pdf
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased + Diode
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SST3
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 抵抗器ベース（R2）
    1 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    1 kOhms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    DTD113ECHZGT116TR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    7 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    33 @ 50mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    -
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
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