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5001338IS61QDB22M18-250M3L絵ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61QDB22M18-250M3L

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規格
  • 部品型番
    IS61QDB22M18-250M3L
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1.IS61QDB22M18-250M3L.pdf
    2.IS61QDB22M18-250M3L.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.71 V ~ 1.89 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous, QUAD
  • サプライヤデバイスパッケージ
    165-LFBGA (15x17)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    165-LBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    2 (1 Year)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    36Mb (2M x 18)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 7.5ns 165-LFBGA (15x17)
  • クロック周波数
    250MHz
  • アクセス時間
    7.5ns

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説明: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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説明: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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説明: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

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説明: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

メーカー: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
在庫あり
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IS61QDB22M18A-250M3LI

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説明: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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