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2758395IS61QDB21M18A-250M3L絵ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61QDB21M18A-250M3L

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規格
  • 部品型番
    IS61QDB21M18A-250M3L
  • メーカー/ブランド
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    IS61QDB21M18A-250M3L.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.71 V ~ 1.89 V
  • 技術
    SRAM - Synchronous, QUAD
  • サプライヤデバイスパッケージ
    165-LFBGA (15x17)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    165-LBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    18Mb (1M x 18)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-LFBGA (15x17)
  • クロック周波数
    250MHz

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