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42381181N8031-GA絵GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

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規格
  • 部品型番
    1N8031-GA
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1N8031-GA.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Silicon Carbide Schottky
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1A
  • 電圧 - ブレークダウン
    TO-276
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Tube
  • 逆回復時間（trrの）
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    76pF @ 1V, 1MHz
  • 偏光
    TO-276AA
  • 他の名前
    1242-1118
    1N8031GA
  • 動作温度 - ジャンクション
    0ns
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 製造元の部品番号
    1N8031-GA
  • 拡張された説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • ダイオード構成
    5µA @ 650V
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.5V @ 1A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    650V
  • Vrと、F @キャパシタンス
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1N8035-GA

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メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N8032-GA

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説明: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N821UR-1

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RFQ
1N8024-GA

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メーカー: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N8028-GA

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説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N821AUR-1

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N8182

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説明: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N821AUR

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

メーカー: Microsemi
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1N8149

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説明: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

メーカー: Microsemi
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1N8030-GA

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説明: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
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1N821

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説明: DIODE ZENER DO35

メーカー: Microsemi
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1N8165US

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説明: TVS DIODE 33V 53.6V

メーカー: Microsemi
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1N822

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N821-1

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N821A

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
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RFQ
1N8026-GA

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説明: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
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1N821A (DO35)

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説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

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在庫あり
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