2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > ダイオード-整流器-シングル > 1N8026-GA
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
64487771N8026-GA絵GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com

参考価格（USD）

在庫あり
1+
$208.10
10+
$198.049
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    1N8026-GA
  • メーカー/ブランド
    GeneSiC Semiconductor
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1N8026-GA.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.6V @ 2.5A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-257
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-257-3
  • 他の名前
    1242-1113
    1N8026GA
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 250°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 8A (DC) Through Hole TO-257
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 1200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    8A (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    237pF @ 1V, 1MHz
  • ベース部品番号
    1N8026

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

11/13/2024

韓国はトランプの脅威に対抗するためにチップ法を制定する予定です

11/13/2024
配送
支払い
「1N8026-GA」関連製品は次のとおりです。
1N821AUR-1

1N821AUR-1

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N821A

1N821A

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N821-1

1N821-1

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8031-GA

1N8031-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N8149

1N8149

説明: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N822

1N822

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

メーカー: GeneSiC Semiconductor
在庫あり
RFQ
1N8165US

1N8165US

説明: TVS DIODE 33V 53.6V

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N821

1N821

説明: DIODE ZENER DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

説明: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
1N8182

1N8182

説明: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します