2024年の電子展の聴衆のための指示

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5031796SI8261BCD-C-IM絵Energy Micro (Silicon Labs)

SI8261BCD-C-IM

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規格
  • 部品型番
    SI8261BCD-C-IM
  • メーカー/ブランド
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI8261BCD-C-IM.pdf
  • 電源電圧 -
    13.5 V ~ 30 V
  • 電圧 - 絶縁
    5000Vrms
  • 電圧 - フォワード（Vf）（標準）
    2.8V (Max)
  • 技術
    Capacitive Coupling
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-LGA (10x12.5)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q100
  • 立上り/立下り時間（Typ）
    5.5ns, 8.5ns
  • パルス幅歪み（最大）
    28ns
  • 伝播遅延tpLH / tpHL（最大）
    60ns, 50ns
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    8-VELGA
  • 他の名前
    336-2419
  • 運転温度
    -40°C ~ 125°C
  • チャネル数
    1
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5)
  • 電流 - ピーク出力
    4A
  • 電流 - 出力高、低
    500mA, 1.2A
  • 電流 - DC順方向（If）（最大）
    30mA
  • コモンモード過渡耐性（最小）
    35kV/µs
  • 承認
    CQC, CSA, UR, VDE

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