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SI8261BBD-C-IS

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規格
  • 部品型番
    SI8261BBD-C-IS
  • メーカー/ブランド
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI8261BBD-C-IS.pdf
  • 電源電圧 -
    9.4 V ~ 30 V
  • 電圧 - 絶縁
    5000Vrms
  • 電圧 - フォワード（Vf）（標準）
    2.8V (Max)
  • 技術
    Capacitive Coupling
  • サプライヤデバイスパッケージ
    6-SDIP
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q100
  • 立上り/立下り時間（Typ）
    5.5ns, 8.5ns
  • パルス幅歪み（最大）
    28ns
  • 伝播遅延tpLH / tpHL（最大）
    60ns, 50ns
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 125°C
  • チャネル数
    1
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メーカーの標準リードタイム
    6 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
  • 電流 - ピーク出力
    4A
  • 電流 - 出力高、低
    500mA, 1.2A
  • 電流 - DC順方向（If）（最大）
    30mA
  • コモンモード過渡耐性（最小）
    35kV/µs
  • 承認
    CQC, CSA, UR, VDE

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