2024年の電子展の聴衆のための指示

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SI4200DY-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI4200DY-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI4200DY-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.2V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    25 mOhm @ 7.3A, 10V
  • 電力 - 最大
    2.8W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    SI4200DY-T1-GE3-ND
    SI4200DY-T1-GE3TR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    415pF @ 13V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    12nC @ 10V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    25V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    8A

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