2024年の電子展の聴衆のための指示

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SI4190DY-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SI4190DY-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SI4190DY-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.8V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 他の名前
    SI4190DY-T1-GE3CT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2000pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    58nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    20A (Tc)

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