2024年の電子展の聴衆のための指示

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412208DMT69M8LPS-13絵Diodes Incorporated

DMT69M8LPS-13

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規格
  • 部品型番
    DMT69M8LPS-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMT69M8LPS-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±16V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerDI5060-8
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    12 mOhm @ 13.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.3W (Ta), 113W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • 他の名前
    DMT69M8LPS-13DITR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1925pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    33.5nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    N-Channel 60V 10.2A (Ta), 70A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    10.2A (Ta), 70A (Tc)

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