2024年の電子展の聴衆のための指示

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DMT6018LDR-13

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規格
  • 部品型番
    DMT6018LDR-13
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DMT6018LDR-13.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    V-DFN3030-8
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    17 mOhm @ 8.2A, 10V
  • 電力 - 最大
    1.9W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    869pF @ 30V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Standard
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 11.4A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    11.4A (Ta)

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