2024年の電子展の聴衆のための指示

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CDBJSC101700-G

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規格
  • 部品型番
    CDBJSC101700-G
  • メーカー/ブランド
    Comchip Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    CDBJSC101700-G.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.7V @ 10A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    1700V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-2
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージ/ケース
    TO-220-2
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 1700V 35A (DC) Through Hole TO-220-2
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    100µA @ 1700V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    35A (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    1400pF @ 0V, 1MHz

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