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2802776CDBJFSC10650-G絵Comchip Technology

CDBJFSC10650-G

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規格
  • 部品型番
    CDBJFSC10650-G
  • メーカー/ブランド
    Comchip Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    CDBJFSC10650-G.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.7V @ 10A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    650V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220F
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージ/ケース
    TO-220-2 Full Pack
  • 他の名前
    641-1934
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    100µA @ 650V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    10A (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    710pF @ 0V, 1MHz

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CDBJFSC8650-G

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CDBJSC3650-G

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CDBJFSC3650-G

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メーカー: Comchip Technology
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CDBJFSC5650-G

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CDBJSC8650-G

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CDBK0520

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説明: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F

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CDBJSC5650-G

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