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177146MMUN2212LT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2212LT1G

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規格
  • 部品型番
    MMUN2212LT1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MMUN2212LT1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 300µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-23-3 (TO-236)
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    22 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    22 kOhms
  • 電力 - 最大
    246mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 他の名前
    MMUN2212LT1GOS
    MMUN2212LT1GOS-ND
    MMUN2212LT1GOSTR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    36 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    60 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
    MMUN22**L

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