2024年の電子展の聴衆のための指示

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2032365MMUN2140LT1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2140LT1G

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    MMUN2140LT1G
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    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    250mV @ 1mA, 10mA
  • トランジスタ型式
    PNP - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-23 (TO-236AB)
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    47 kOhms
  • 電力 - 最大
    246mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    36 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    120 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    500nA
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
MMUN2213LT1G

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説明: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2211LT3

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MMUN2134LT1G

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MMUN2135LT1G

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MMUN2134LT1

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