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3915476MJD117-1G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD117-1G

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規格
  • 部品型番
    MJD117-1G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MJD117-1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    3V @ 40mA, 4A
  • トランジスタ型式
    PNP - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I-PAK
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1.75W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    MJD117-1G-ND
    MJD117-1GOS
  • 運転温度
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    6 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    25MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 2A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    20µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    2A
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