2024年の電子展の聴衆のための指示

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5924264MJD122-1絵STMicroelectronics

MJD122-1

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規格
  • 部品型番
    MJD122-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MJD122-1.pdf
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    4V @ 80mA, 8A
  • トランジスタ型式
    NPN - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-251-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    20W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 他の名前
    497-16183
    MJD122-1-ND
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    1000 @ 4A, 4V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    10µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    8A
  • ベース部品番号
    MJD122

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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